Долговременная динамика соотношения взрослых и молодых птиц у ближних и дальних мигрантов на осеннем пролете на Куршской косе Балтийского моря

Было проанализировано соотношение взрослых и молодых птиц на осеннем пролете на Куршской косе Балтийского моря у 25 видов ближних и 19 дальних мигрантов в период с 1962 по 2016 гг. Сравнительный анализ показал, что доля взрослых особей среди пойманных в большие ловушки «рыбачинского типа» птиц была значимо выше у ближних мигрантов (19,4%), чем у дальних (5,4%). У видов, совершающих преимущественно дневные миграции, доля взрослых особей была выше, чем у ночных мигрантов (24,3% против 7,4% у ближних мигрантов и 7,4% против 4,5% – у дальних). У подавляющего большинства видов были выявлены значительные межгодовые колебания в соотношении взрослых и молодых особей. Однако значимые долговременные тренды в изменении этого соотношения были выявлены только у 3 видов ближних мигрантов и одного дальнего мигранта. Доля молодых особей, отлавливаемых на осеннем пролете, оказалась значимо связанной со средней температурой воздуха в Балтийском регионе весной и в начале лета (июнь): чем выше была температура в этот период, тем большая доля молодых птиц присутствовала в осенних отловах. Такая связь была выявлена у 8 видов ближних и 2 дальних мигрантов. Мы предполагаем, что это объясняется, в первую очередь, лучшей успешностью размножения этих видов в годы с высокой температурой воздуха весной и в начале лета в исследуемом регионе.

Molecular-beam epitaxy-grown Si whisker structures: morphological, optical and electrical properties

Scanning electron microscopy, spectroscopic ellipsometry, and current-voltage and current-temperature measurements were employed to characterize nanowhisker structures grown by molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates. Small clusters of gold deposited on the Si surface were used as the seeds for nanowhisker growth. The diameter of grown nanowhiskers and their length ranged from 70 to 200 nm and from 580 to 890 nm, respectively. The whiskers were found to inherit the (111) orientation of the Si substrate. By means of spectroscopic ellipsometry in the range 1.5-4.77 eV, lateral optical inhomogeneity of the nanowhisker layer was revealed, with optical properties of the layer substantially differing from those of single-crystal Si. Electrical measurements point to the presence of a Schottky barrier with height 0.70 eV in the structure and to the presence of electrically active centers non-uniformly distributed over the nanowhisker length.